PTFA210601E V4 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  PTFA210601E V4
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies PTFA210601E V4 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 2170 MHz Gain: 16 dB Output Power: 60 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 550 mA Gate-Source Breakdown Voltage: 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: H-36265-2 Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 196 W Factory Pack Quantity: 50 Part # Aliases: FA210601EV4XP
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PTFA210601E V4.pdf
Файл формата Pdf 211,86 KB